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Herstellerteilenummer | CY62167G30-45BVXAT |
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Zukünftige Teilenummer | FT-CY62167G30-45BVXAT |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | Automotive, AEC-Q100, MoBL® |
CY62167G30-45BVXAT Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Speichertyp | Volatile |
Speicherformat | SRAM |
Technologie | SRAM - Asynchronous |
Speichergröße | 16Mb (1M x 16) |
Taktfrequenz | - |
Schreibzykluszeit - Wort, Seite | 45ns |
Zugriffszeit | 45ns |
Speicherschnittstelle | Parallel |
Spannungsversorgung | 2.2V ~ 3.6V |
Betriebstemperatur | -40°C ~ 85°C (TA) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | 48-VFBGA |
Supplier Device Package | 48-VFBGA (6x8) |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CY62167G30-45BVXAT Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | CY62167G30-45BVXAT-FT |
DS1230Y-150+
Maxim Integrated
DS1230W-150+
Maxim Integrated
DS1230Y-85+
Maxim Integrated
DS1225AB-85+
Maxim Integrated
DS1225AD-70+
Maxim Integrated
DS1225Y-200IND+
Maxim Integrated
DS1230AB-70+
Maxim Integrated
DS1225AB-200IND+
Maxim Integrated
DS1225Y-150+
Maxim Integrated
DS1225AD-200+
Maxim Integrated
LFXP3C-3T144I
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S1600E-5FG320C
Xilinx Inc.
A3PE600-2FGG484I
Microsemi Corporation
ICE40UL640-SWG16ITR1K
Lattice Semiconductor Corporation
A3PN250-1VQ100I
Microsemi Corporation
5SGSED8N1F45C2LN
Intel
A1010B-2PLG44C
Microsemi Corporation
LFX200B-05FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S20F780C5N
Intel
5SGXEA3H3F35C2LN
Intel