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Herstellerteilenummer | CY7C1041G30-10BVJXI |
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Zukünftige Teilenummer | FT-CY7C1041G30-10BVJXI |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
CY7C1041G30-10BVJXI Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Speichertyp | Volatile |
Speicherformat | SRAM |
Technologie | SRAM - Asynchronous |
Speichergröße | 4Mb (256K x 16) |
Taktfrequenz | - |
Schreibzykluszeit - Wort, Seite | 10ns |
Zugriffszeit | 10ns |
Speicherschnittstelle | Parallel |
Spannungsversorgung | 2.2V ~ 3.6V |
Betriebstemperatur | -40°C ~ 85°C (TA) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | 48-VFBGA |
Supplier Device Package | 48-VFBGA (6x8) |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CY7C1041G30-10BVJXI Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | CY7C1041G30-10BVJXI-FT |
DS1230AB-100+
Maxim Integrated
DS1225AB-170+
Maxim Integrated
DS1230Y-200IND+
Maxim Integrated
DS1230Y-200+
Maxim Integrated
DS1225AD-150+
Maxim Integrated
DS1230AB-70IND+
Maxim Integrated
DS1230AB-150+
Maxim Integrated
DS1225AB-70IND+
Maxim Integrated
DS1230AB-200+
Maxim Integrated
DS1225AB-150IND+
Maxim Integrated
XC6SLX150T-2FGG484I
Xilinx Inc.
M1A3P400-2PQG208
Microsemi Corporation
LFE5UM-85F-7BG756C
Lattice Semiconductor Corporation
XC2V1500-4BGG575C
Xilinx Inc.
AX500-FGG676
Microsemi Corporation
LFX200EB-05FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M35E-5FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-12SE-6FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
5CEBA9F31C8N
Intel
EP20K1000EBI652-2X
Intel