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Herstellerteilenummer | CY7S1041GE30-10BVXI |
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Zukünftige Teilenummer | FT-CY7S1041GE30-10BVXI |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
CY7S1041GE30-10BVXI Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Speichertyp | Volatile |
Speicherformat | SRAM |
Technologie | SRAM - Asynchronous |
Speichergröße | 4Mb (256K x 16) |
Taktfrequenz | - |
Schreibzykluszeit - Wort, Seite | 10ns |
Zugriffszeit | 10ns |
Speicherschnittstelle | Parallel |
Spannungsversorgung | 2.2V ~ 3.6V |
Betriebstemperatur | -40°C ~ 85°C (TA) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | 48-VFBGA |
Supplier Device Package | 48-VFBGA (6x8) |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CY7S1041GE30-10BVXI Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | CY7S1041GE30-10BVXI-FT |
DS1250Y-100IND+
Maxim Integrated
DS1245Y-100+
Maxim Integrated
DS1249AB-100
Maxim Integrated
DS1249AB-85
Maxim Integrated
DS1249AB-85IND
Maxim Integrated
DS1249W-100IND
Maxim Integrated
DS1249W-150
Maxim Integrated
DS1249Y-85
Maxim Integrated
DS1230Y-70IND+
Maxim Integrated
DS1230Y-100+
Maxim Integrated
EPF10K30ATI144-3N
Intel
A54SX32A-2FGG484I
Microsemi Corporation
LFE2-70E-6FN900I
Lattice Semiconductor Corporation
A54SX16-1VQ100I
Microsemi Corporation
5SGSED6N3F45I4N
Intel
5SGSMD5H2F35I3L
Intel
A40MX04-FPL84
Microsemi Corporation
LFXP6C-4F256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-35E-7FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SL150F780I3N
Intel