Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespann / DDTC114GE-7-F
Herstellerteilenummer | DDTC114GE-7-F |
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Zukünftige Teilenummer | FT-DDTC114GE-7-F |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
DDTC114GE-7-F Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Transistortyp | NPN - Pre-Biased |
Stromabnehmer (Ic) (max.) | 100mA |
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) | 50V |
Widerstand - Basis (R1) | - |
Widerstand - Emitterbasis (R2) | 10 kOhms |
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) bei Ic, Vce | 30 @ 5mA, 5V |
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic | 300mV @ 500µA, 10mA |
Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 500nA (ICBO) |
Frequenz - Übergang | 250MHz |
Leistung max | 150mW |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | SOT-523 |
Supplier Device Package | SOT-523 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DDTC114GE-7-F Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | DDTC114GE-7-F-FT |
BCR 183F E6327
Infineon Technologies
BCR 189F E6327
Infineon Technologies
BCR 191F E6327
Infineon Technologies
BCR 192F E6327
Infineon Technologies
BCR 196F E6327
Infineon Technologies
BCR 198F E6327
Infineon Technologies
BCR 199F E6327
Infineon Technologies
BCR 101T E6327
Infineon Technologies
BCR 103T E6327
Infineon Technologies
BCR 108T E6327
Infineon Technologies
A3P015-2QNG68
Microsemi Corporation
XA2S100E-6TQ144Q
Xilinx Inc.
LCMXO640C-3TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
A3P125-2TQG144I
Microsemi Corporation
M1A3P250-2VQ100
Microsemi Corporation
EP2C35U484I8N
Intel
XCS10-4PC84C
Xilinx Inc.
XA7A15T-2CSG324I
Xilinx Inc.
LFXP3E-3Q208C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S10F780C6
Intel