Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespann / BCR 108T E6327
Herstellerteilenummer | BCR 108T E6327 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-BCR 108T E6327 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
BCR 108T E6327 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Obsolete |
Transistortyp | NPN - Pre-Biased |
Stromabnehmer (Ic) (max.) | 100mA |
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) | 50V |
Widerstand - Basis (R1) | 2.2 kOhms |
Widerstand - Emitterbasis (R2) | 47 kOhms |
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) bei Ic, Vce | 70 @ 5mA, 5V |
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic | 300mV @ 500µA, 10mA |
Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 100nA (ICBO) |
Frequenz - Übergang | 170MHz |
Leistung max | 250mW |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | SC-75, SOT-416 |
Supplier Device Package | PG-SC-75 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BCR 108T E6327 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | BCR 108T E6327-FT |
PDTB114EQAZ
Nexperia USA Inc.
PDTB123EQAZ
Nexperia USA Inc.
PDTB123YQAZ
Nexperia USA Inc.
PDTB143EQAZ
Nexperia USA Inc.
PDTB143XQAZ
Nexperia USA Inc.
PDTC114EQAZ
Nexperia USA Inc.
PDTC114YQAZ
Nexperia USA Inc.
PDTC123JQAZ
Nexperia USA Inc.
PDTC124EQAZ
Nexperia USA Inc.
PDTC143EQAZ
Nexperia USA Inc.
XC3SD1800A-4FGG676C
Xilinx Inc.
XC2VP7-5FG456I
Xilinx Inc.
M2GL090S-1FGG484I
Microsemi Corporation
LFE5UM5G-85F-8BG554I
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S20F672C6
Intel
5SGSED6N2F45C2LN
Intel
XC7VX415T-3FFG1158E
Xilinx Inc.
LFE3-70EA-8FN672I
Lattice Semiconductor Corporation
EP4CGX150DF31C7N
Intel
EPF10K50SQC240-1
Intel