Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespann / DDTD114GC-7-F
Herstellerteilenummer | DDTD114GC-7-F |
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Zukünftige Teilenummer | FT-DDTD114GC-7-F |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
DDTD114GC-7-F Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Transistortyp | NPN - Pre-Biased |
Stromabnehmer (Ic) (max.) | 500mA |
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) | 50V |
Widerstand - Basis (R1) | - |
Widerstand - Emitterbasis (R2) | 10 kOhms |
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) bei Ic, Vce | 56 @ 50mA, 5V |
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic | 300mV @ 2.5mA, 50mA |
Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 500nA (ICBO) |
Frequenz - Übergang | 200MHz |
Leistung max | 200mW |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Supplier Device Package | SOT-23-3 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DDTD114GC-7-F Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | DDTD114GC-7-F-FT |
DDTA113TE-7-F
Diodes Incorporated
DDTA113ZE-7-F
Diodes Incorporated
DDTA114GE-7-F
Diodes Incorporated
DDTA114YE-7-F
Diodes Incorporated
DDTA115EE-7-F
Diodes Incorporated
DDTA115GE-7-F
Diodes Incorporated
DDTA115TE-7-F
Diodes Incorporated
DDTA123EE-7-F
Diodes Incorporated
DDTA123TE-7-F
Diodes Incorporated
DDTA123YE-7-F
Diodes Incorporated
XC3S50AN-4TQG144C
Xilinx Inc.
EX128-FTQG100
Microsemi Corporation
XC6SLX25-3FTG256C
Xilinx Inc.
M1A3P250-VQG100
Microsemi Corporation
EP2AGZ350FH29C4N
Intel
EP3SL340F1760I4L
Intel
5SGSMD5H2F35I3N
Intel
XC4VLX160-10FFG1148I
Xilinx Inc.
EPF10K30AQI208-3
Intel
EPF8820AQC208-3
Intel