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Diodes Incorporated DMG3N60SJ3

Name: DMG3N60SJ3
Brand: Diodes Incorporated
SKU: DMG3N60SJ3
Price: 0.501976 USD
Availability: InStock
Rating: 4.6 (464 reviews)

MFG-Teilenummer: DMG3N60SJ3

verfügbare Anzahl: 24300 Stücke

Referenzpreis: USD 0.501976

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Hersteller: Diodes Incorporated

Kurze Beschreibung: Automotive, AEC-Q101 MOSFET BVDSS 501V 650V TO251

Bleifreier Status / RoHS-Status: RoHS-konform (bleifrei)

Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL): 1 (unbegrenzt)

Datumscode (D / C): Neu

Produktkategorie: Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln

Lagerressource: Franchise-Händler

Garantie: 360 Tage Qualitätsgarantie

Datenblatt: DMG3N60SJ3.pdf

DMG3N60SJ3 Spezifikationen

Herstellerteilenummer	DMG3N60SJ3
Zukünftige Teilenummer	FT-DMG3N60SJ3
SPQ / MOQ	kontaktiere uns
Verpackungsmaterial	Reel/Tray/Tube/Others
Serie	Automotive, AEC-Q101
DMG3N60SJ3 Status (Lebenszyklus)	Auf Lager
Teilestatus	Active
FET-Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	650V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C	2.8A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	3.5 Ohm @ 1.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs	12.6nC @ 10V
Vgs (Max)	±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	354pF @ 25V
FET-Funktion	-
Verlustleistung (max.)	41W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Through Hole
Supplier Device Package	TO-251
Paket / fall	TO-251-3, IPak, Short Leads
Herkunftsland	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
DMG3N60SJ3 Gewicht	kontaktiere uns
Ersatzteilnummer	DMG3N60SJ3-FT

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