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Diodes Incorporated DMG7N65SJ3

Name: DMG7N65SJ3
Brand: Diodes Incorporated
SKU: DMG7N65SJ3
Price: 0.770984 USD
Availability: InStock
Rating: 4.9 (403 reviews)

MFG-Teilenummer: DMG7N65SJ3

verfügbare Anzahl: 52530 Stücke

Referenzpreis: USD 0.770984

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Hersteller: Diodes Incorporated

Kurze Beschreibung: Automotive, AEC-Q101 MOSFET BVDSS 501V 650V TO251

Bleifreier Status / RoHS-Status: RoHS-konform (bleifrei)

Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL): 1 (unbegrenzt)

Datumscode (D / C): Neu

Produktkategorie: Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln

Lagerressource: Franchise-Händler

Garantie: 360 Tage Qualitätsgarantie

Datenblatt: DMG7N65SJ3.pdf

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DMG7N65SJ3 Spezifikationen

Herstellerteilenummer	DMG7N65SJ3
Zukünftige Teilenummer	FT-DMG7N65SJ3
SPQ / MOQ	kontaktiere uns
Verpackungsmaterial	Reel/Tray/Tube/Others
Serie	Automotive, AEC-Q101
DMG7N65SJ3 Status (Lebenszyklus)	Auf Lager
Teilestatus	Active
FET-Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	650V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C	5.5A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.4 Ohm @ 2.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs	25nC @ 10V
Vgs (Max)	±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	886pF @ 50V
FET-Funktion	-
Verlustleistung (max.)	125W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Through Hole
Supplier Device Package	TO-251
Paket / fall	TO-251-3, IPak, Short Leads
Herkunftsland	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
DMG7N65SJ3 Gewicht	kontaktiere uns
Ersatzteilnummer	DMG7N65SJ3-FT

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