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Diodes Incorporated DMN1150UFB-7B

Name: DMN1150UFB-7B
Brand: Diodes Incorporated
SKU: DMN1150UFB-7B
Price: 0.0588 USD
Availability: InStock
Rating: 4.7 (369 reviews)

MFG-Teilenummer: DMN1150UFB-7B

verfügbare Anzahl: 36830 Stücke

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Hersteller: Diodes Incorporated

Kurze Beschreibung: - MOSFET N-CH 12V 1.41A 3DFN

Bleifreier Status / RoHS-Status: RoHS-konform (bleifrei)

Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL): 1 (unbegrenzt)

Datumscode (D / C): Neu

Produktkategorie: Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln

Lagerressource: Franchise-Händler

Garantie: 360 Tage Qualitätsgarantie

Datenblatt: DMN1150UFB-7B.pdf

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DMN1150UFB-7B Spezifikationen

Herstellerteilenummer	DMN1150UFB-7B
Zukünftige Teilenummer	FT-DMN1150UFB-7B
SPQ / MOQ	kontaktiere uns
Verpackungsmaterial	Reel/Tray/Tube/Others
Serie	-
DMN1150UFB-7B Status (Lebenszyklus)	Auf Lager
Teilestatus	Active
FET-Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	12V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C	1.41A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	150 mOhm @ 1A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	1V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs	1.5nC @ 4.5V
Vgs (Max)	±6V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	106pF @ 10V
FET-Funktion	-
Verlustleistung (max.)	500mW (Ta)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Supplier Device Package	3-DFN1006 (1.0x0.6)
Paket / fall	3-UFDFN
Herkunftsland	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
DMN1150UFB-7B Gewicht	kontaktiere uns
Ersatzteilnummer	DMN1150UFB-7B-FT

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