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Diodes Incorporated DMN2016UTS-13

Name: DMN2016UTS-13
Brand: Diodes Incorporated
SKU: DMN2016UTS-13
Price: 0.19812 USD
Availability: InStock
Rating: 4.6 (315 reviews)

MFG-Teilenummer: DMN2016UTS-13

verfügbare Anzahl: 91610 Stücke

Referenzpreis: USD 0.19812

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Hersteller: Diodes Incorporated

Kurze Beschreibung: - MOSFET 2N-CH 20V 8.58A 8-TSSOP

Bleifreier Status / RoHS-Status: RoHS-konform (bleifrei)

Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL): 1 (unbegrenzt)

Datumscode (D / C): Neu

Produktkategorie: Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays

Lagerressource: Franchise-Händler

Garantie: 360 Tage Qualitätsgarantie

Datenblatt: DMN2016UTS-13.pdf

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DMN2016UTS-13 Spezifikationen

Herstellerteilenummer	DMN2016UTS-13
Zukünftige Teilenummer	FT-DMN2016UTS-13
SPQ / MOQ	kontaktiere uns
Verpackungsmaterial	Reel/Tray/Tube/Others
Serie	-
DMN2016UTS-13 Status (Lebenszyklus)	Auf Lager
Teilestatus	Active
FET-Typ	2 N-Channel (Dual) Common Drain
FET-Funktion	Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss)	20V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C	8.58A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	14.5 mOhm @ 9.4A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	1V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs	16.5nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	1495pF @ 10V
Leistung max	880mW
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Paket / fall	8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Supplier Device Package	8-TSSOP
Herkunftsland	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
DMN2016UTS-13 Gewicht	kontaktiere uns
Ersatzteilnummer	DMN2016UTS-13-FT

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