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Diodes Incorporated DMN21D2UFB-7B

MFG-Teilenummer
DMN21D2UFB-7B
verfügbare Anzahl
75050 Stücke
Referenzpreis
USD 0.06868
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Versanddatum
Wir können heute ausliefern
Hersteller
Diodes Incorporated
Kurze Beschreibung
- MOSFET N-CH 20V 0.76A 3DFN
Bleifreier Status / RoHS-Status
RoHS-konform (bleifrei)
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL)
1 (unbegrenzt)
Datumscode (D / C)
Neu
Produktkategorie
Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln
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Franchise-Händler
Garantie
360 Tage Qualitätsgarantie
Datenblatt
DMN21D2UFB-7B.pdf
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DMN21D2UFB-7B Spezifikationen

Herstellerteilenummer DMN21D2UFB-7B
Zukünftige Teilenummer FT-DMN21D2UFB-7B
SPQ / MOQ kontaktiere uns
Verpackungsmaterial Reel/Tray/Tube/Others
Serie -
DMN21D2UFB-7B Status (Lebenszyklus) Auf Lager
Teilestatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C 760mA (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 1.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 990 mOhm @ 100mA, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs 0.93nC @ 10V
Vgs (Max) ±12V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 27.6pF @ 16V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 380mW (Ta)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Supplier Device Package 3-DFN1006 (1.0x0.6)
Paket / fall 3-UFDFN
Herkunftsland USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
DMN21D2UFB-7B Gewicht kontaktiere uns
Ersatzteilnummer DMN21D2UFB-7B-FT

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