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Diodes Incorporated DMN2501UFB4-7

Name: DMN2501UFB4-7
Brand: Diodes Incorporated
SKU: DMN2501UFB4-7
Price: 0.0872 USD
Availability: InStock
Rating: 4.7 (563 reviews)

MFG-Teilenummer: DMN2501UFB4-7

verfügbare Anzahl: 47880 Stücke

Referenzpreis: USD 0.0872

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Hersteller: Diodes Incorporated

Kurze Beschreibung: - MOSFET N-CH 20V 1A 3DFN

Bleifreier Status / RoHS-Status: RoHS-konform (bleifrei)

Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL): 1 (unbegrenzt)

Datumscode (D / C): Neu

Produktkategorie: Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln

Lagerressource: Franchise-Händler

Garantie: 360 Tage Qualitätsgarantie

Datenblatt: DMN2501UFB4-7.pdf

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DMN2501UFB4-7 Spezifikationen

Herstellerteilenummer	DMN2501UFB4-7
Zukünftige Teilenummer	FT-DMN2501UFB4-7
SPQ / MOQ	kontaktiere uns
Verpackungsmaterial	Reel/Tray/Tube/Others
Serie	-
DMN2501UFB4-7 Status (Lebenszyklus)	Auf Lager
Teilestatus	Active
FET-Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	20V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C	1A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	400 mOhm @ 600mA, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	1V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs	2nC @ 10V
Vgs (Max)	±8V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	82pF @ 16V
FET-Funktion	-
Verlustleistung (max.)	500mW (Ta)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Supplier Device Package	X2-DFN1006-3
Paket / fall	3-XFDFN
Herkunftsland	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
DMN2501UFB4-7 Gewicht	kontaktiere uns
Ersatzteilnummer	DMN2501UFB4-7-FT

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