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Diodes Incorporated DMN4800LSSQ-13

Name: DMN4800LSSQ-13
Brand: Diodes Incorporated
SKU: DMN4800LSSQ-13
Price: 0.175264 USD
Availability: InStock
Rating: 4.8 (332 reviews)

MFG-Teilenummer: DMN4800LSSQ-13

verfügbare Anzahl: 25770 Stücke

Referenzpreis: USD 0.175264

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Hersteller: Diodes Incorporated

Kurze Beschreibung: Automotive, AEC-Q101 MOSFET N-CH 30V 8.6A 8-SO

Bleifreier Status / RoHS-Status: RoHS-konform (bleifrei)

Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL): 1 (unbegrenzt)

Datumscode (D / C): Neu

Produktkategorie: Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln

Lagerressource: Franchise-Händler

Garantie: 360 Tage Qualitätsgarantie

Datenblatt: DMN4800LSSQ-13.pdf

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DMN4800LSSQ-13 Spezifikationen

Herstellerteilenummer	DMN4800LSSQ-13
Zukünftige Teilenummer	FT-DMN4800LSSQ-13
SPQ / MOQ	kontaktiere uns
Verpackungsmaterial	Reel/Tray/Tube/Others
Serie	Automotive, AEC-Q101
DMN4800LSSQ-13 Status (Lebenszyklus)	Auf Lager
Teilestatus	Active
FET-Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	30V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C	8.6A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	14 mOhm @ 9A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	1.6V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs	8.7nC @ 5V
Vgs (Max)	±25V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	798pF @ 10V
FET-Funktion	-
Verlustleistung (max.)	1.46W (Ta)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Supplier Device Package	8-SO
Paket / fall	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Herkunftsland	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
DMN4800LSSQ-13 Gewicht	kontaktiere uns
Ersatzteilnummer	DMN4800LSSQ-13-FT

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