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Diodes Incorporated DMN62D0LFB-7

Name: DMN62D0LFB-7
Brand: Diodes Incorporated
SKU: DMN62D0LFB-7
Price: 0.0872 USD
Availability: InStock
Rating: 4.7 (425 reviews)

MFG-Teilenummer: DMN62D0LFB-7

verfügbare Anzahl: 50140 Stücke

Referenzpreis: USD 0.0872

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Hersteller: Diodes Incorporated

Kurze Beschreibung: - MOSFET N-CH 60V X2-DFN1006-3

Bleifreier Status / RoHS-Status: RoHS-konform (bleifrei)

Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL): 1 (unbegrenzt)

Datumscode (D / C): Neu

Produktkategorie: Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln

Lagerressource: Franchise-Händler

Garantie: 360 Tage Qualitätsgarantie

Datenblatt: DMN62D0LFB-7.pdf

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DMN62D0LFB-7 Spezifikationen

Herstellerteilenummer	DMN62D0LFB-7
Zukünftige Teilenummer	FT-DMN62D0LFB-7
SPQ / MOQ	kontaktiere uns
Verpackungsmaterial	Reel/Tray/Tube/Others
Serie	-
DMN62D0LFB-7 Status (Lebenszyklus)	Auf Lager
Teilestatus	Active
FET-Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	60V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C	100mA (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	1.5V, 4V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	2 Ohm @ 100mA, 4V
Vgs (th) (Max) @ Id	1V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs	0.45nC @ 4.5V
Vgs (Max)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	32pF @ 25V
FET-Funktion	-
Verlustleistung (max.)	470mW (Ta)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Supplier Device Package	3-X1DFN1006
Paket / fall	3-UFDFN
Herkunftsland	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
DMN62D0LFB-7 Gewicht	kontaktiere uns
Ersatzteilnummer	DMN62D0LFB-7-FT

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