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Diodes Incorporated DMN65D8LFB-7B

MFG-Teilenummer
DMN65D8LFB-7B
verfügbare Anzahl
43300 Stücke
Referenzpreis
USD 0.03892
Unser Preis
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Versanddatum
Wir können heute ausliefern
Hersteller
Diodes Incorporated
Kurze Beschreibung
- MOSFET N-CH 60V 260MA 3DFN
Bleifreier Status / RoHS-Status
RoHS-konform (bleifrei)
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL)
1 (unbegrenzt)
Datumscode (D / C)
Neu
Produktkategorie
Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln
Lagerressource
Franchise-Händler
Garantie
360 Tage Qualitätsgarantie
Datenblatt
DMN65D8LFB-7B.pdf
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DMN65D8LFB-7B Spezifikationen

Herstellerteilenummer DMN65D8LFB-7B
Zukünftige Teilenummer FT-DMN65D8LFB-7B
SPQ / MOQ kontaktiere uns
Verpackungsmaterial Reel/Tray/Tube/Others
Serie -
DMN65D8LFB-7B Status (Lebenszyklus) Auf Lager
Teilestatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C 260mA (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3 Ohm @ 115mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs -
Vgs (Max) ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 25pF @ 25V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 430mW (Ta)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Supplier Device Package X1-DFN1006-3
Paket / fall 3-UFDFN
Herkunftsland USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
DMN65D8LFB-7B Gewicht kontaktiere uns
Ersatzteilnummer DMN65D8LFB-7B-FT

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