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DMN65D8LQ-13 Image

Diodes Incorporated DMN65D8LQ-13

MFG-Teilenummer
DMN65D8LQ-13
verfügbare Anzahl
80260 Stücke
Referenzpreis
USD 0.025672
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Versanddatum
Wir können heute ausliefern
Hersteller
Diodes Incorporated
Kurze Beschreibung
- MOSFET N-CH 60V SOT23
Bleifreier Status / RoHS-Status
RoHS-konform (bleifrei)
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL)
1 (unbegrenzt)
Datumscode (D / C)
Neu
Produktkategorie
Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln
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Garantie
360 Tage Qualitätsgarantie
Datenblatt
DMN65D8LQ-13.pdf
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DMN65D8LQ-13 Spezifikationen

Herstellerteilenummer DMN65D8LQ-13
Zukünftige Teilenummer FT-DMN65D8LQ-13
SPQ / MOQ kontaktiere uns
Verpackungsmaterial Reel/Tray/Tube/Others
Serie -
DMN65D8LQ-13 Status (Lebenszyklus) Auf Lager
Teilestatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C 310mA (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3 Ohm @ 115mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs 0.87nC @ 10V
Vgs (Max) ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 22pF @ 25V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 370mW (Ta)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Supplier Device Package SOT-23
Paket / fall TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Herkunftsland USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
DMN65D8LQ-13 Gewicht kontaktiere uns
Ersatzteilnummer DMN65D8LQ-13-FT

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