Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln / DMNH6008SCTQ
Herstellerteilenummer | DMNH6008SCTQ |
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Zukünftige Teilenummer | FT-DMNH6008SCTQ |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | Automotive, AEC-Q101 |
DMNH6008SCTQ Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 60V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 130A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8 mOhm @ 20A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 21nC @ 10V |
Vgs (Max) | 20V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 2596pF @ 30V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 210W (Tc) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Befestigungsart | Through Hole |
Supplier Device Package | TO-220AB |
Paket / fall | TO-220-3 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DMNH6008SCTQ Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | DMNH6008SCTQ-FT |
IRLI620GPBF
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XC2V4000-5FF1517I
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A54SX72A-FGG256
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M2GL025TS-VFG256
Microsemi Corporation
EP4CGX30CF23I7
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5SGSED8N3F45I3LN
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5SGXEB5R1F43I2N
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AGL1000V5-FGG144I
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LFE2M70SE-6FN900I
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EP4SGX70HF35C2G
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