Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln / IRLIB4343
Herstellerteilenummer | IRLIB4343 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-IRLIB4343 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | HEXFET® |
IRLIB4343 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Obsolete |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 55V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 19A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 50 mOhm @ 4.7A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 42nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 740pF @ 50V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 39W (Tc) |
Betriebstemperatur | -40°C ~ 175°C (TJ) |
Befestigungsart | Through Hole |
Supplier Device Package | TO-220AB Full-Pak |
Paket / fall | TO-220-3 Full Pack |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IRLIB4343 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | IRLIB4343-FT |
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EP4CGX50CF23C7
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5SGXEA3K1F40C2L
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5SGXMA3K2F40C2LN
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5CGXFC4C7U19C8N
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