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Herstellerteilenummer | DMS2120LFWB-7 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-DMS2120LFWB-7 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
DMS2120LFWB-7 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
FET-Typ | P-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 20V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 2.9A (Ta) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 95 mOhm @ 2.8A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.3V @ 250µA |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | - |
Vgs (Max) | ±12V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 632pF @ 10V |
FET-Funktion | Schottky Diode (Isolated) |
Verlustleistung (max.) | 1.5W (Ta) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Supplier Device Package | 8-DFN3020B (3x2) |
Paket / fall | 8-VDFN Exposed Pad |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DMS2120LFWB-7 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | DMS2120LFWB-7-FT |
SIHB18N60E-GE3
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