Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespann / DRA3123J0L
Herstellerteilenummer | DRA3123J0L |
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Zukünftige Teilenummer | FT-DRA3123J0L |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
DRA3123J0L Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Transistortyp | PNP - Pre-Biased |
Stromabnehmer (Ic) (max.) | 100mA |
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) | 50V |
Widerstand - Basis (R1) | 2.2 kOhms |
Widerstand - Emitterbasis (R2) | 47 kOhms |
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) bei Ic, Vce | 80 @ 5mA, 10V |
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic | 250mV @ 500µA, 10mA |
Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 500nA |
Frequenz - Übergang | - |
Leistung max | 100mW |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | SOT-723 |
Supplier Device Package | SSSMini3-F2-B |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DRA3123J0L Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | DRA3123J0L-FT |
PDTB113ZK,115
NXP USA Inc.
PDTB123EK,115
NXP USA Inc.
PDTB123TK,115
NXP USA Inc.
PDTB123YK,115
NXP USA Inc.
PDTC114EK,115
NXP USA Inc.
PDTC114EK,135
NXP USA Inc.
PDTC114TK,115
NXP USA Inc.
PDTC114YK,115
NXP USA Inc.
PDTC115EK,115
NXP USA Inc.
PDTC115TK,115
NXP USA Inc.
XC6SLX45-N3FGG676I
Xilinx Inc.
XC4010E-2BG225I
Xilinx Inc.
XC2S200E-6FG456C
Xilinx Inc.
LFE5UM-25F-7BG381I
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SL340F1760I4N
Intel
A54SX32A-1BGG329I
Microsemi Corporation
LFEC15E-3FN256I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000ZE-2BG332C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066H1F34E1SG
Intel
5AGXBB3D4F31C4N
Intel