Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespann / DRA3123Y0L
Herstellerteilenummer | DRA3123Y0L |
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Zukünftige Teilenummer | FT-DRA3123Y0L |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
DRA3123Y0L Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Transistortyp | PNP - Pre-Biased |
Stromabnehmer (Ic) (max.) | 100mA |
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) | 50V |
Widerstand - Basis (R1) | 2.2 kOhms |
Widerstand - Emitterbasis (R2) | 10 kOhms |
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) bei Ic, Vce | 30 @ 5mA, 10V |
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic | 250mV @ 500µA, 10mA |
Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 500nA |
Frequenz - Übergang | - |
Leistung max | 100mW |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | SOT-723 |
Supplier Device Package | SSSMini3-F2-B |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DRA3123Y0L Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | DRA3123Y0L-FT |
PDTB123EK,115
NXP USA Inc.
PDTB123TK,115
NXP USA Inc.
PDTB123YK,115
NXP USA Inc.
PDTC114EK,115
NXP USA Inc.
PDTC114EK,135
NXP USA Inc.
PDTC114TK,115
NXP USA Inc.
PDTC114YK,115
NXP USA Inc.
PDTC115EK,115
NXP USA Inc.
PDTC115TK,115
NXP USA Inc.
PDTC123EK,115
NXP USA Inc.
XC6SLX45T-3CSG484I
Xilinx Inc.
XC6SLX100T-3FG900C
Xilinx Inc.
XCS10-3VQ100C
Xilinx Inc.
XC6VLX130T-1FFG484C
Xilinx Inc.
APA750-PQ208I
Microsemi Corporation
A3P250L-1VQG100I
Microsemi Corporation
EP2C5AF256I8N
Intel
AGL1000V5-FGG144I
Microsemi Corporation
LFE2M50E-5FN672I
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S60F1020I6N
Intel