Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespann / DRC2514E0L
Herstellerteilenummer | DRC2514E0L |
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Zukünftige Teilenummer | FT-DRC2514E0L |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
DRC2514E0L Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Transistortyp | NPN - Pre-Biased |
Stromabnehmer (Ic) (max.) | 500mA |
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) | 50V |
Widerstand - Basis (R1) | 10 kOhms |
Widerstand - Emitterbasis (R2) | 10 kOhms |
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) bei Ic, Vce | 60 @ 100mA, 10V |
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic | 250mV @ 5mA, 100mA |
Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 1µA |
Frequenz - Übergang | - |
Leistung max | 200mW |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Supplier Device Package | Mini3-G3-B |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DRC2514E0L Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | DRC2514E0L-FT |
BCR505E6327HTSA1
Infineon Technologies
BCR133E6327HTSA1
Infineon Technologies
FJV3104RMTF
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FJV3102RMTF
ON Semiconductor
BCR148E6327HTSA1
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UNR221E00L
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BCR533E6327HTSA1
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UNR221M00L
Panasonic Electronic Components
FJV3114RMTF
ON Semiconductor
BCR183E6327HTSA1
Infineon Technologies
LCMXO640E-4TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S50A-4VQG100I
Xilinx Inc.
XC3S50-4VQ100I
Xilinx Inc.
APA1000-BGG456I
Microsemi Corporation
M7AFS600-1FG256
Microsemi Corporation
EP4SGX230KF40C2N
Intel
5SGSMD5H1F35C2LN
Intel
XC4036XL-2HQ208C
Xilinx Inc.
EP4SGX230DF29I3
Intel
10CX085YF672I5G
Intel