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Herstellerteilenummer | DS2016-100 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-DS2016-100 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
DS2016-100 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Obsolete |
Speichertyp | Volatile |
Speicherformat | SRAM |
Technologie | SRAM |
Speichergröße | 16Kb (2K x 8) |
Taktfrequenz | - |
Schreibzykluszeit - Wort, Seite | 100ns |
Zugriffszeit | 100ns |
Speicherschnittstelle | Parallel |
Spannungsversorgung | 2.7V ~ 5.5V |
Betriebstemperatur | -40°C ~ 85°C (TA) |
Befestigungsart | Through Hole |
Paket / fall | 24-DIP (0.600", 15.24mm) |
Supplier Device Package | 24-PDIP |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DS2016-100 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | DS2016-100-FT |
DS28EL25Q+T
Maxim Integrated
DS28EL15Q+T
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DS24B33Q+T&R
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DS2704G+T&R
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DS28E07Q+T
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DS28E38Q+U
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DS28E36Q+T
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A40MX02-VQG80M
Microsemi Corporation
XC3SD1800A-4CS484LI
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XC2V500-5FG256I
Xilinx Inc.
A14V40A-VQG100C
Microsemi Corporation
5SGXMABN3F45C2LN
Intel
A3PE1500-FGG676I
Microsemi Corporation
M1A3P600-2FGG144I
Microsemi Corporation
LCMXO2-2000ZE-2BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066K4F35I3SG
Intel
EP20K200EQC240-1X
Intel