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Herstellerteilenummer | DS2016-100 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-DS2016-100 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
DS2016-100 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Obsolete |
Speichertyp | Volatile |
Speicherformat | SRAM |
Technologie | SRAM |
Speichergröße | 16Kb (2K x 8) |
Taktfrequenz | - |
Schreibzykluszeit - Wort, Seite | 100ns |
Zugriffszeit | 100ns |
Speicherschnittstelle | Parallel |
Spannungsversorgung | 2.7V ~ 5.5V |
Betriebstemperatur | -40°C ~ 85°C (TA) |
Befestigungsart | Through Hole |
Paket / fall | 24-DIP (0.600", 15.24mm) |
Supplier Device Package | 24-PDIP |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DS2016-100 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | DS2016-100-FT |
DS28EL25Q+T
Maxim Integrated
DS28EL15Q+T
Maxim Integrated
DS24B33Q+T&R
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DS2704G+T&R
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DS28E25Q+T
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DS28E07Q+U
Maxim Integrated
DS28E07Q+T
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DS28E38Q+U
Maxim Integrated
DS28E36Q+T
Maxim Integrated
EP1K30TC144-1N
Intel
LFEC3E-3T100I
Lattice Semiconductor Corporation
XC2S200-6PQG208C
Xilinx Inc.
APA300-PQ208
Microsemi Corporation
ICE65L04F-LCB132C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2C35U484C8N
Intel
A42MX24-2PL84I
Microsemi Corporation
M1AGL1000V2-FGG144
Microsemi Corporation
LFE3-150EA-7FN672CTW
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SGX180HF35I4N
Intel