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Herstellerteilenummer | DS2016-150 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-DS2016-150 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
DS2016-150 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Obsolete |
Speichertyp | Volatile |
Speicherformat | SRAM |
Technologie | SRAM |
Speichergröße | 16Kb (2K x 8) |
Taktfrequenz | - |
Schreibzykluszeit - Wort, Seite | 150ns |
Zugriffszeit | 150ns |
Speicherschnittstelle | Parallel |
Spannungsversorgung | 2.7V ~ 5.5V |
Betriebstemperatur | -40°C ~ 85°C (TA) |
Befestigungsart | Through Hole |
Paket / fall | 24-DIP (0.600", 15.24mm) |
Supplier Device Package | 24-PDIP |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DS2016-150 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | DS2016-150-FT |
DS28EL15Q+T
Maxim Integrated
DS24B33Q+T&R
Maxim Integrated
DS2704G+T&R
Maxim Integrated
DS28E25Q+T
Maxim Integrated
DS28E80Q+T
Maxim Integrated
DS28E07Q+U
Maxim Integrated
DS28E07Q+T
Maxim Integrated
DS28E38Q+U
Maxim Integrated
DS28E36Q+T
Maxim Integrated
DS2431Q+T&R
Maxim Integrated
XC4013XL-2HT144C
Xilinx Inc.
LFXP6E-4TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
A1020B-PQG100C
Microsemi Corporation
XC3S250E-5VQG100C
Xilinx Inc.
A3P600-2FGG256I
Microsemi Corporation
A3P1000-PQG208I
Microsemi Corporation
A42MX16-1PQG208M
Microsemi Corporation
LFE3-35EA-6FTN256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFEC6E-3F484C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-2000HE-5MG132I
Lattice Semiconductor Corporation