Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespann / DTA123EMFHAT2L
Herstellerteilenummer | DTA123EMFHAT2L |
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Zukünftige Teilenummer | FT-DTA123EMFHAT2L |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | Automotive, AEC-Q101 |
DTA123EMFHAT2L Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Transistortyp | PNP - Pre-Biased |
Stromabnehmer (Ic) (max.) | 100mA |
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) | - |
Widerstand - Basis (R1) | 2.2 kOhms |
Widerstand - Emitterbasis (R2) | 2.2 kOhms |
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) bei Ic, Vce | 20 @ 20mA, 5V |
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic | 300mV @ 500µA, 10mA |
Strom - Kollektorabschaltung (max.) | - |
Frequenz - Übergang | 250MHz |
Leistung max | 150mW |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | SOT-723 |
Supplier Device Package | VMT3 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DTA123EMFHAT2L Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | DTA123EMFHAT2L-FT |
RN2318(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN1302,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
RN1303(TE85L,F)
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RN1309(TE85L,F)
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RN1310(TE85L,F)
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RN1313(TE85L,F)
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RN2304(TE85L,F)
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RN2307(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN2308(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN2309(TE85L,F)
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XA6SLX25-3FTG256Q
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XCKU040-2FBVA900I
Xilinx Inc.
M1A3PE1500-1FG484I
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A54SX72A-FGG256M
Microsemi Corporation
A42MX24-PQ208M
Microsemi Corporation
EP1S10F484C5
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XC7VX690T-1FFG1927C
Xilinx Inc.
LFE2M20SE-5F256I
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LCMXO3L-4300C-5BG256C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115N2F40E2LG
Intel