Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespann / DTB723YMT2L
Herstellerteilenummer | DTB723YMT2L |
---|---|
Zukünftige Teilenummer | FT-DTB723YMT2L |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
DTB723YMT2L Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Not For New Designs |
Transistortyp | PNP - Pre-Biased |
Stromabnehmer (Ic) (max.) | 200mA |
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) | 30V |
Widerstand - Basis (R1) | 2.2 kOhms |
Widerstand - Emitterbasis (R2) | 10 kOhms |
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) bei Ic, Vce | 140 @ 100mA, 2V |
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic | 300mV @ 2.5mA, 50mA |
Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 500nA |
Frequenz - Übergang | 260MHz |
Leistung max | 150mW |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | SOT-723 |
Supplier Device Package | VMT3 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DTB723YMT2L Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | DTB723YMT2L-FT |
RN2106CT(TPL3)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN2107ACT(TPL3)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN2107CT(TPL3)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN2108ACT(TPL3)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN2108CT(TPL3)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN2109ACT(TPL3)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN2109CT(TPL3)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN2110CT(TPL3)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN2111CT(TPL3)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN2112CT(TPL3)
Toshiba Semiconductor and Storage