Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespann / DTC114GUAT106
Herstellerteilenummer | DTC114GUAT106 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-DTC114GUAT106 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
DTC114GUAT106 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Not For New Designs |
Transistortyp | NPN - Pre-Biased |
Stromabnehmer (Ic) (max.) | 100mA |
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) | 50V |
Widerstand - Basis (R1) | - |
Widerstand - Emitterbasis (R2) | 10 kOhms |
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) bei Ic, Vce | 30 @ 5mA, 5V |
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic | 300mV @ 500µA, 10mA |
Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 500nA (ICBO) |
Frequenz - Übergang | 250MHz |
Leistung max | 200mW |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | SC-70, SOT-323 |
Supplier Device Package | UMT3 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DTC114GUAT106 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | DTC114GUAT106-FT |
DTA123EUAT106
Rohm Semiconductor
DTC113ZUAT106
Rohm Semiconductor
DTC123YUAT106
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DTC124EUAT106
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DTA123YUAT106
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LCMXO640C-4TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S500E-5CPG132C
Xilinx Inc.
ICE40LP1K-SWG16TR1K
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K1000CF672C7GZ
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EP4CE115F23C7
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5SGXMA3E1H29C1N
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EP2AGZ300FH29I3N
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M1A3P400-FGG144
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AGL060V2-CSG121
Microsemi Corporation