Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespann / DTD513ZMT2L
Herstellerteilenummer | DTD513ZMT2L |
---|---|
Zukünftige Teilenummer | FT-DTD513ZMT2L |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
DTD513ZMT2L Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Transistortyp | NPN - Pre-Biased |
Stromabnehmer (Ic) (max.) | 500mA |
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) | 12V |
Widerstand - Basis (R1) | 1 kOhms |
Widerstand - Emitterbasis (R2) | 10 kOhms |
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) bei Ic, Vce | 140 @ 100mA, 2V |
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic | 300mV @ 5mA, 100mA |
Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 500nA |
Frequenz - Übergang | 260MHz |
Leistung max | 150mW |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | SOT-723 |
Supplier Device Package | VMT3 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DTD513ZMT2L Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | DTD513ZMT2L-FT |
RN2102CT(TPL3)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN2103CT(TPL3)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN2104ACT(TPL3)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN2104CT(TPL3)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN2105CT(TPL3)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN2106CT(TPL3)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN2107ACT(TPL3)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN2107CT(TPL3)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN2108ACT(TPL3)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN2108CT(TPL3)
Toshiba Semiconductor and Storage