Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt / EMA6DXV5T1G
Herstellerteilenummer | EMA6DXV5T1G |
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Zukünftige Teilenummer | FT-EMA6DXV5T1G |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
EMA6DXV5T1G Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Obsolete |
Transistortyp | 2 PNP - Pre-Biased (Dual) |
Stromabnehmer (Ic) (max.) | 100mA |
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) | 50V |
Widerstand - Basis (R1) | 47 kOhms |
Widerstand - Emitterbasis (R2) | - |
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) bei Ic, Vce | 160 @ 5mA, 10V |
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic | 250mV @ 1mA, 10mA |
Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 500nA |
Frequenz - Übergang | - |
Leistung max | 230mW |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | SOT-553 |
Supplier Device Package | SOT-553 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
EMA6DXV5T1G Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | EMA6DXV5T1G-FT |
NSBA143EDXV6T1G
ON Semiconductor
NSBC114TDXV6T5G
ON Semiconductor
NSBC114YDXV6T5G
ON Semiconductor
NSBC143ZDXV6T5G
ON Semiconductor
NSVEMD4DXV6T5G
ON Semiconductor
NSBA123EDXV6T1G
ON Semiconductor
NSBC144EPDXV6T1G
ON Semiconductor
NSBA115EDXV6T1G
ON Semiconductor
NSBC123EDXV6T1G
ON Semiconductor
NSBA114EDXV6T1G
ON Semiconductor
AT6005A-2AI
Microchip Technology
LFE3-35EA-7LFTN256I
Lattice Semiconductor Corporation
A1440A-1VQG100I
Microsemi Corporation
EP4CE40F23C8L
Intel
EP2AGX125DF25I5
Intel
EP3C5M164I7N
Intel
5AGZME5H3F35I4N
Intel
XC5VTX150T-1FFG1156I
Xilinx Inc.
LFXP2-17E-6QN208I
Lattice Semiconductor Corporation
ICE40HX8K-CM225
Lattice Semiconductor Corporation