Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt / EMA6DXV5T1G
Herstellerteilenummer | EMA6DXV5T1G |
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Zukünftige Teilenummer | FT-EMA6DXV5T1G |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
EMA6DXV5T1G Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Obsolete |
Transistortyp | 2 PNP - Pre-Biased (Dual) |
Stromabnehmer (Ic) (max.) | 100mA |
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) | 50V |
Widerstand - Basis (R1) | 47 kOhms |
Widerstand - Emitterbasis (R2) | - |
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) bei Ic, Vce | 160 @ 5mA, 10V |
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic | 250mV @ 1mA, 10mA |
Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 500nA |
Frequenz - Übergang | - |
Leistung max | 230mW |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | SOT-553 |
Supplier Device Package | SOT-553 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
EMA6DXV5T1G Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | EMA6DXV5T1G-FT |
NSBA143EDXV6T1G
ON Semiconductor
NSBC114TDXV6T5G
ON Semiconductor
NSBC114YDXV6T5G
ON Semiconductor
NSBC143ZDXV6T5G
ON Semiconductor
NSVEMD4DXV6T5G
ON Semiconductor
NSBA123EDXV6T1G
ON Semiconductor
NSBC144EPDXV6T1G
ON Semiconductor
NSBA115EDXV6T1G
ON Semiconductor
NSBC123EDXV6T1G
ON Semiconductor
NSBA114EDXV6T1G
ON Semiconductor
A42MX09-3PQG100
Microsemi Corporation
M2GL025-1VFG256
Microsemi Corporation
EP1K30FC256-2N
Intel
10CX150YF672I5G
Intel
10M04SCE144C7G
Intel
XC5VLX330-2FF1760C
Xilinx Inc.
XA7S25-1CSGA225I
Xilinx Inc.
LFXP2-40E-6FN672I
Lattice Semiconductor Corporation
LFEC15E-3FN256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SL110F780C2
Intel