Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt / EMG11T2R
Herstellerteilenummer | EMG11T2R |
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Zukünftige Teilenummer | FT-EMG11T2R |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
EMG11T2R Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Transistortyp | 2 NPN - Pre-Biased (Dual) |
Stromabnehmer (Ic) (max.) | 100mA |
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) | 50V |
Widerstand - Basis (R1) | 2.2 kOhms |
Widerstand - Emitterbasis (R2) | 47 kOhms |
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) bei Ic, Vce | 80 @ 10mA, 5V |
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic | 300mV @ 250µA, 5mA |
Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 500nA |
Frequenz - Übergang | 250MHz |
Leistung max | 150mW |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | 6-SMD (5 Leads), Flat Lead |
Supplier Device Package | EMT5 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
EMG11T2R Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | EMG11T2R-FT |
RN2910(T5L,F,T)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN2911(T5L,F,T)
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RN4901(T5L,F,T)
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RN4901,LF
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RN4902,LF
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RN4903(T5L,F,T)
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RN4904(T5L,F,T)
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RN4905T5LFT
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RN4906,LF
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RN4907(T5L,F,T)
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