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Herstellerteilenummer | EPC2106ENGRT |
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Zukünftige Teilenummer | FT-EPC2106ENGRT |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | eGaN® |
EPC2106ENGRT Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
FET-Typ | 2 N-Channel (Half Bridge) |
FET-Funktion | GaNFET (Gallium Nitride) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 100V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 1.7A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 70 mOhm @ 2A, 5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 600µA |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 0.73nC @ 5V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 75pF @ 50V |
Leistung max | - |
Betriebstemperatur | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | Die |
Supplier Device Package | Die |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
EPC2106ENGRT Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | EPC2106ENGRT-FT |
IPG20N04S408ATMA1
Infineon Technologies
IPG20N04S412ATMA1
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IPG20N04S4L07ATMA1
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IPG20N04S4L08ATMA1
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IPG20N06S4L11ATMA1
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A54SX16P-1TQ144
Microsemi Corporation
XC7A15T-3FTG256E
Xilinx Inc.
XC6SLX25-N3FTG256I
Xilinx Inc.
XC4044XL-3HQ304C
Xilinx Inc.
A3PE600-FG484I
Microsemi Corporation
A3PN250-VQG100I
Microsemi Corporation
EP4CE40F23C8L
Intel
A42MX16-1PQG100M
Microsemi Corporation
LCMXO2-7000HE-6FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
5CEFA5U19C6N
Intel