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EPC EPC2107ENGRT

MFG-Teilenummer
EPC2107ENGRT
verfügbare Anzahl
48140 Stücke
Referenzpreis
USD 0.6944
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Versanddatum
Wir können heute ausliefern
Hersteller
EPC
Kurze Beschreibung
eGaN® GAN TRANS 3N-CH 100V BUMPED DIE
Bleifreier Status / RoHS-Status
RoHS-konform (bleifrei)
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL)
1 (unbegrenzt)
Datumscode (D / C)
Neu
Produktkategorie
Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
Lagerressource
Franchise-Händler
Garantie
360 Tage Qualitätsgarantie
Datenblatt
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EPC2107ENGRT Spezifikationen

Herstellerteilenummer EPC2107ENGRT
Zukünftige Teilenummer FT-EPC2107ENGRT
SPQ / MOQ kontaktiere uns
Verpackungsmaterial Reel/Tray/Tube/Others
Serie eGaN®
EPC2107ENGRT Status (Lebenszyklus) Auf Lager
Teilestatus Active
FET-Typ 3 N-Channel (Half Bridge + Synchronous Bootstrap)
FET-Funktion GaNFET (Gallium Nitride)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C 1.7A, 500mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs 320 mOhm @ 2A, 5V, 3.3 Ohm @ 2A, 5V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 100µA, 2.5V @ 20µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs 0.16nC @ 5V, 0.044nC @ 5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 16pF @ 50V, 7pF @ 50V
Leistung max -
Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Paket / fall 9-VFBGA
Supplier Device Package 9-BGA (1.35x1.35)
Herkunftsland USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
EPC2107ENGRT Gewicht kontaktiere uns
Ersatzteilnummer EPC2107ENGRT-FT

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