Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Dioden - Gleichrichter - Single / ES1JL R3G
Herstellerteilenummer | ES1JL R3G |
---|---|
Zukünftige Teilenummer | FT-ES1JL R3G |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
ES1JL R3G Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Diodentyp | Standard |
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 600V |
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) | 1A |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 1.7V @ 1A |
Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Reverse Recovery Time (trr) | 35ns |
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr | 5µA @ 600V |
Kapazität @ Vr, F | 8pF @ 4V, 1MHz |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | DO-219AB |
Supplier Device Package | Sub SMA |
Betriebstemperatur - Übergang | -55°C ~ 150°C |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ES1JL R3G Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | ES1JL R3G-FT |
S1JLS RVG
Taiwan Semiconductor Corporation
SS110LS RVG
Taiwan Semiconductor Corporation
SS13LSHRVG
Taiwan Semiconductor Corporation
S1MLS RVG
Taiwan Semiconductor Corporation
RS1KLSHRVG
Taiwan Semiconductor Corporation
SS13LS RVG
Taiwan Semiconductor Corporation
SS14LS RVG
Taiwan Semiconductor Corporation
SS1H10LS RVG
Taiwan Semiconductor Corporation
RS1MLS RVG
Taiwan Semiconductor Corporation
RS1MLSHRVG
Taiwan Semiconductor Corporation
A3P400-1FG484I
Microsemi Corporation
M1A3P1000-FGG256
Microsemi Corporation
10M50DCF256C7G
Intel
5SGXEA7N2F40C2N
Intel
EP3SE260H780I3
Intel
XC7V585T-1FF1761I
Xilinx Inc.
M1A3P1000L-1FGG144I
Microsemi Corporation
LFE2-20E-7FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3C25F324C6
Intel
5SGXEA3H1F35C2N
Intel