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Taiwan Semiconductor Corporation ES1JL R3G
- MFG-Teilenummer
- ES1JL R3G
- verfügbare Anzahl
- 81930 Stücke
- Referenzpreis
- USD 0.091192
- Unser Preis
- Wir haben einen großen Rabatt, bitte kontaktieren Sie uns
- Versanddatum
- Wir können heute ausliefern
- Hersteller
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Kurze Beschreibung
- - DIODE GEN PURP 600V 1A SUB SMA
- Bleifreier Status / RoHS-Status
- RoHS-konform (bleifrei)
- Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL)
- 1 (unbegrenzt)
- Datumscode (D / C)
- Neu
- Produktkategorie
- Dioden - Gleichrichter - Single
- Lagerressource
- Franchise-Händler
- Garantie
- 360 Tage Qualitätsgarantie
- Datenblatt
- ES1JL R3G.pdf
ES1JL R3G Spezifikationen
| Herstellerteilenummer | ES1JL R3G |
|---|---|
| Zukünftige Teilenummer | FT-ES1JL R3G |
| SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
| Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
| Serie | - |
| ES1JL R3G Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
| Teilestatus | Active |
| Diodentyp | Standard |
| Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 600V |
| Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) | 1A |
| Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 1.7V @ 1A |
| Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Reverse Recovery Time (trr) | 35ns |
| Strom - Rückwärtsleckage @ Vr | 5µA @ 600V |
| Kapazität @ Vr, F | 8pF @ 4V, 1MHz |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Paket / fall | DO-219AB |
| Supplier Device Package | Sub SMA |
| Betriebstemperatur - Übergang | -55°C ~ 150°C |
| Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| ES1JL R3G Gewicht | kontaktiere uns |
| Ersatzteilnummer | ES1JL R3G-FT |
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