Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Dioden - Gleichrichter - Single / ES3GB R5G
Herstellerteilenummer | ES3GB R5G |
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Zukünftige Teilenummer | FT-ES3GB R5G |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
ES3GB R5G Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Diodentyp | Standard |
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 400V |
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) | 3A |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 1.13V @ 3A |
Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Reverse Recovery Time (trr) | 35ns |
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr | 10µA @ 400V |
Kapazität @ Vr, F | 41pF @ 4V, 1MHz |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | DO-214AA, SMB |
Supplier Device Package | DO-214AA (SMB) |
Betriebstemperatur - Übergang | -55°C ~ 150°C |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ES3GB R5G Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | ES3GB R5G-FT |
S1M-JR2
Taiwan Semiconductor Corporation
S1M-JR3
Taiwan Semiconductor Corporation
S1M-KR2G
Taiwan Semiconductor Corporation
S1M-KR3G
Taiwan Semiconductor Corporation
S1MR2
Taiwan Semiconductor Corporation
S1MR3
Taiwan Semiconductor Corporation
LL4448 L1G
Taiwan Semiconductor Corporation
LL4148 L1G
Taiwan Semiconductor Corporation
LL4148 L0G
Taiwan Semiconductor Corporation
LL4448 L0G
Taiwan Semiconductor Corporation
A1020B-2VQ80C
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LFE3-17EA-6FTN256C
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LCMXO640E-5FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
A3PN250-Z2VQG100
Microsemi Corporation
EP2C50F484C6N
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EP4SGX290KF40I4N
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XC6VHX250T-2FFG1154I
Xilinx Inc.
10AX090S4F45E3SG
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10AX115H3F34I2LG
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EP3CLS200F780C8
Intel