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ON Semiconductor FCD9N60NTM

Name: FCD9N60NTM
Brand: ON Semiconductor
SKU: FCD9N60NTM
Price: 1.182568 USD
Availability: InStock
Rating: 4.9 (456 reviews)

MFG-Teilenummer: FCD9N60NTM

verfügbare Anzahl: 81990 Stücke

Referenzpreis: USD 1.182568

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Hersteller: ON Semiconductor

Kurze Beschreibung: SupreMOS™ MOSFET N-CH 600V 9A DPAK

Bleifreier Status / RoHS-Status: RoHS-konform (bleifrei)

Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL): 1 (unbegrenzt)

Datumscode (D / C): Neu

Produktkategorie: Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln

Lagerressource: Franchise-Händler

Garantie: 360 Tage Qualitätsgarantie

Datenblatt: FCD9N60NTM.pdf

FCD9N60NTM Spezifikationen

Herstellerteilenummer	FCD9N60NTM
Zukünftige Teilenummer	FT-FCD9N60NTM
SPQ / MOQ	kontaktiere uns
Verpackungsmaterial	Reel/Tray/Tube/Others
Serie	SupreMOS™
FCD9N60NTM Status (Lebenszyklus)	Auf Lager
Teilestatus	Active
FET-Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	600V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C	9A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	385 mOhm @ 4.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	5V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs	17.8nC @ 10V
Vgs (Max)	±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	1000pF @ 100V
FET-Funktion	-
Verlustleistung (max.)	92.6W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Supplier Device Package	D-Pak
Paket / fall	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Herkunftsland	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
FCD9N60NTM Gewicht	kontaktiere uns
Ersatzteilnummer	FCD9N60NTM-FT

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