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ON Semiconductor FCP650N80Z

MFG-Teilenummer
FCP650N80Z
verfügbare Anzahl
16960 Stücke
Referenzpreis
USD 2.576
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Versanddatum
Wir können heute ausliefern
Hersteller
ON Semiconductor
Kurze Beschreibung
SuperFET® II MOSFET N-CH 800V 10A
Bleifreier Status / RoHS-Status
RoHS-konform (bleifrei)
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL)
1 (unbegrenzt)
Datumscode (D / C)
Neu
Produktkategorie
Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln
Lagerressource
Franchise-Händler
Garantie
360 Tage Qualitätsgarantie
Datenblatt
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FCP650N80Z Spezifikationen

Herstellerteilenummer FCP650N80Z
Zukünftige Teilenummer FT-FCP650N80Z
SPQ / MOQ kontaktiere uns
Verpackungsmaterial Reel/Tray/Tube/Others
Serie SuperFET® II
FCP650N80Z Status (Lebenszyklus) Auf Lager
Teilestatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 800V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C 10A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 650 mOhm @ 4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 800µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs 35nC @ 10V
Vgs (Max) ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1565pF @ 100V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 162W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Through Hole
Supplier Device Package TO-220
Paket / fall TO-220-3
Herkunftsland USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
FCP650N80Z Gewicht kontaktiere uns
Ersatzteilnummer FCP650N80Z-FT

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