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Herstellerteilenummer | FCPF190N60E |
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Zukünftige Teilenummer | FT-FCPF190N60E |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | SuperFET® II |
FCPF190N60E Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 600V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 20.6A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 190 mOhm @ 10A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 250µA |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 82nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 3175pF @ 25V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 39W (Tc) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Through Hole |
Supplier Device Package | TO-220F |
Paket / fall | TO-220-3 Full Pack |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FCPF190N60E Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | FCPF190N60E-FT |
FQPF30N06L
ON Semiconductor
FDPF5N50FT
ON Semiconductor
FDPF16N50UT
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FDPF5N50UT
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FQPF16N25C
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FQPF11N50CF
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EP1C6T144C6
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LCMXO2-1200ZE-3TG144IR1
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A42MX09-FVQ100
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EP4CE10E22C7N
Intel
XC5VLX30-1FF676I
Xilinx Inc.
AGL600V2-FG144
Microsemi Corporation
LCMXO2-7000HC-6BG256C
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LFXP2-8E-5MN132C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXMA1D4F31I3N
Intel
EP4CE55F29C6
Intel