Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln / FDAF59N30
Herstellerteilenummer | FDAF59N30 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-FDAF59N30 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | UniFET™ |
FDAF59N30 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Obsolete |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 300V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 34A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 56 mOhm @ 17A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 100nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±30V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 4670pF @ 25V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 161W (Tc) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Through Hole |
Supplier Device Package | TO-3PF |
Paket / fall | TO-3P-3 Full Pack |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FDAF59N30 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | FDAF59N30-FT |
FQI3N25TU
ON Semiconductor
FQI3N30TU
ON Semiconductor
FQI3N40TU
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FQI3N80TU
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FQI3N90TU
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FQI4N20LTU
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LFXP3C-4T144I
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A54SX16-VQ100
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10AX016C4U19I3SG
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5SGXEA5K1F35I2N
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Xilinx Inc.
LCMXO2-7000HE-6BG332C
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