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ON Semiconductor FQI3N80TU

Name: FQI3N80TU
Brand: ON Semiconductor
SKU: FQI3N80TU
Availability: InStock
Rating: 4.5 (159 reviews)

MFG-Teilenummer: FQI3N80TU

verfügbare Anzahl: 25330 Stücke

Referenzpreis: USD 0

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Hersteller: ON Semiconductor

Kurze Beschreibung: QFET® MOSFET N-CH 800V 3A I2PAK

Bleifreier Status / RoHS-Status: RoHS-konform (bleifrei)

Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL): 1 (unbegrenzt)

Datumscode (D / C): Neu

Produktkategorie: Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln

Lagerressource: Franchise-Händler

Garantie: 360 Tage Qualitätsgarantie

Datenblatt: FQI3N80TU.pdf

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FQI3N80TU Spezifikationen

Herstellerteilenummer	FQI3N80TU
Zukünftige Teilenummer	FT-FQI3N80TU
SPQ / MOQ	kontaktiere uns
Verpackungsmaterial	Reel/Tray/Tube/Others
Serie	QFET®
FQI3N80TU Status (Lebenszyklus)	Auf Lager
Teilestatus	Obsolete
FET-Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	800V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C	3A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	5 Ohm @ 1.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	5V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs	19nC @ 10V
Vgs (Max)	±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	690pF @ 25V
FET-Funktion	-
Verlustleistung (max.)	3.13W (Ta), 107W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Through Hole
Supplier Device Package	I2PAK (TO-262)
Paket / fall	TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Herkunftsland	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
FQI3N80TU Gewicht	kontaktiere uns
Ersatzteilnummer	FQI3N80TU-FT

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