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ON Semiconductor FDB029N06

Name: FDB029N06
Brand: ON Semiconductor
SKU: FDB029N06
Price: 1.858032 USD
Availability: InStock
Rating: 4.6 (553 reviews)

MFG-Teilenummer: FDB029N06

verfügbare Anzahl: 69770 Stücke

Referenzpreis: USD 1.858032

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Hersteller: ON Semiconductor

Kurze Beschreibung: PowerTrench® MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK

Bleifreier Status / RoHS-Status: RoHS-konform (bleifrei)

Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL): 1 (unbegrenzt)

Datumscode (D / C): Neu

Produktkategorie: Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln

Lagerressource: Franchise-Händler

Garantie: 360 Tage Qualitätsgarantie

Datenblatt: FDB029N06.pdf

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FDB029N06 Spezifikationen

Herstellerteilenummer	FDB029N06
Zukünftige Teilenummer	FT-FDB029N06
SPQ / MOQ	kontaktiere uns
Verpackungsmaterial	Reel/Tray/Tube/Others
Serie	PowerTrench®
FDB029N06 Status (Lebenszyklus)	Auf Lager
Teilestatus	Active
FET-Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	60V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C	120A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	3.1 mOhm @ 75A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4.5V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs	151nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	9815pF @ 25V
FET-Funktion	-
Verlustleistung (max.)	231W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Supplier Device Package	D²PAK
Paket / fall	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Herkunftsland	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
FDB029N06 Gewicht	kontaktiere uns
Ersatzteilnummer	FDB029N06-FT

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