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ON Semiconductor FDB10AN06A0

Name: FDB10AN06A0
Brand: ON Semiconductor
SKU: FDB10AN06A0
Availability: InStock
Rating: 4.9 (267 reviews)

MFG-Teilenummer: FDB10AN06A0

verfügbare Anzahl: 79430 Stücke

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Hersteller: ON Semiconductor

Kurze Beschreibung: PowerTrench® MOSFET N-CH 60V 75A TO-263AB

Bleifreier Status / RoHS-Status: RoHS-konform (bleifrei)

Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL): 1 (unbegrenzt)

Datumscode (D / C): Neu

Produktkategorie: Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln

Lagerressource: Franchise-Händler

Garantie: 360 Tage Qualitätsgarantie

Datenblatt: FDB10AN06A0.pdf

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FDB10AN06A0 Spezifikationen

Herstellerteilenummer	FDB10AN06A0
Zukünftige Teilenummer	FT-FDB10AN06A0
SPQ / MOQ	kontaktiere uns
Verpackungsmaterial	Reel/Tray/Tube/Others
Serie	PowerTrench®
FDB10AN06A0 Status (Lebenszyklus)	Auf Lager
Teilestatus	Obsolete
FET-Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	60V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C	12A (Ta), 75A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	10.5 mOhm @ 75A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs	37nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	1840pF @ 25V
FET-Funktion	-
Verlustleistung (max.)	135W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Supplier Device Package	TO-263AB
Paket / fall	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Herkunftsland	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
FDB10AN06A0 Gewicht	kontaktiere uns
Ersatzteilnummer	FDB10AN06A0-FT

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