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ON Semiconductor FQB19N20LTM

MFG-Teilenummer
FQB19N20LTM
verfügbare Anzahl
42870 Stücke
Referenzpreis
USD 0.812552
Unser Preis
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Versanddatum
Wir können heute ausliefern
Hersteller
ON Semiconductor
Kurze Beschreibung
QFET® MOSFET N-CH 200V 21A D2PAK
Bleifreier Status / RoHS-Status
RoHS-konform (bleifrei)
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL)
1 (unbegrenzt)
Datumscode (D / C)
Neu
Produktkategorie
Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln
Lagerressource
Franchise-Händler
Garantie
360 Tage Qualitätsgarantie
Datenblatt
FQB19N20LTM.pdf
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FQB19N20LTM Spezifikationen

Herstellerteilenummer FQB19N20LTM
Zukünftige Teilenummer FT-FQB19N20LTM
SPQ / MOQ kontaktiere uns
Verpackungsmaterial Reel/Tray/Tube/Others
Serie QFET®
FQB19N20LTM Status (Lebenszyklus) Auf Lager
Teilestatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 200V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C 21A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 140 mOhm @ 10.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs 35nC @ 5V
Vgs (Max) ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2200pF @ 25V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 3.13W (Ta), 140W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Supplier Device Package D²PAK (TO-263AB)
Paket / fall TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Herkunftsland USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
FQB19N20LTM Gewicht kontaktiere uns
Ersatzteilnummer FQB19N20LTM-FT

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