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Herstellerteilenummer | FDB120N10 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-FDB120N10 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | PowerTrench® |
FDB120N10 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 100V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 74A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 12 mOhm @ 74A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 250µA |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 86nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 5605pF @ 25V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 170W (Tc) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Supplier Device Package | D²PAK |
Paket / fall | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FDB120N10 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | FDB120N10-FT |
FDMA008P20LZ
ON Semiconductor
FCU600N65S3R0
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FCU360N65S3R0
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FDZ3N513ZT
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FCMT180N65S3
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FDA18N50
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FDA38N30
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XCV1000E-8FG900C
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LCMXO640C-4FTN256I
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LCMXO3L-9400C-5BG484I
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M1AGL250V2-VQ100
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M1AGL250V5-VQG100
Microsemi Corporation
EP2S60F484C5
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5SGXMA7K3F40C3
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XC4020E-2HQ208I
Xilinx Inc.
5AGXMA7G4F35I5N
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EPF8820QC160-4
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