Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln / FDB12N50TM
Herstellerteilenummer | FDB12N50TM |
---|---|
Zukünftige Teilenummer | FT-FDB12N50TM |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | UniFET™ |
FDB12N50TM Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 500V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 11.5A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 650 mOhm @ 6A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 30nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±30V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1315pF @ 25V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 165W (Tc) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Supplier Device Package | D²PAK |
Paket / fall | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FDB12N50TM Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | FDB12N50TM-FT |
FCU600N65S3R0
ON Semiconductor
FCU360N65S3R0
ON Semiconductor
FDZ3N513ZT
ON Semiconductor
FCMT180N65S3
ON Semiconductor
FCMT199N60
ON Semiconductor
FCMT250N65S3
ON Semiconductor
FCMT299N60
ON Semiconductor
FDA18N50
ON Semiconductor
FDA38N30
ON Semiconductor
FCA16N60N
ON Semiconductor
A54SX16A-2TQ144I
Microsemi Corporation
XC3S400-4FG320I
Xilinx Inc.
XC3S700AN-4FGG484I
Xilinx Inc.
5SGXMA3E1H29I2N
Intel
5SGSMD8N3F45I3N
Intel
5SGXMA4H3F35I4N
Intel
XC5VLX155-2FFG1760C
Xilinx Inc.
XC6VLX195T-2FFG784C
Xilinx Inc.
XC6VLX195T-2FFG784I
Xilinx Inc.
LCMXO2280E-4MN132I
Lattice Semiconductor Corporation