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ON Semiconductor FDB1D7N10CL7
- MFG-Teilenummer
- FDB1D7N10CL7
- verfügbare Anzahl
- 15940 Stücke
- Referenzpreis
- USD 6.09544
- Unser Preis
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- Versanddatum
- Wir können heute ausliefern
- Hersteller
- ON Semiconductor
- Kurze Beschreibung
- PowerTrench® FET 100V 1.7 MOHM D2PAK
- Bleifreier Status / RoHS-Status
- RoHS-konform (bleifrei)
- Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL)
- 1 (unbegrenzt)
- Datumscode (D / C)
- Neu
- Produktkategorie
- Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln
- Lagerressource
- Franchise-Händler
- Garantie
- 360 Tage Qualitätsgarantie
- Datenblatt
- FDB1D7N10CL7.pdf
FDB1D7N10CL7 Spezifikationen
| Herstellerteilenummer | FDB1D7N10CL7 |
|---|---|
| Zukünftige Teilenummer | FT-FDB1D7N10CL7 |
| SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
| Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
| Serie | PowerTrench® |
| FDB1D7N10CL7 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
| Teilestatus | Active |
| FET-Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 100V |
| Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 268A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 15V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.65 mOhm @ 100A, 15V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 700µA |
| Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 163nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 11600pF @ 50V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 250W (Tc) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Supplier Device Package | D²PAK (TO-263) |
| Paket / fall | TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab) |
| Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| FDB1D7N10CL7 Gewicht | kontaktiere uns |
| Ersatzteilnummer | FDB1D7N10CL7-FT |
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