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ON Semiconductor FDB86366-F085

Name: FDB86366-F085
Brand: ON Semiconductor
SKU: FDB86366-F085
Price: 1.100784 USD
Availability: InStock
Rating: 4.6 (792 reviews)

MFG-Teilenummer: FDB86366-F085

verfügbare Anzahl: 19350 Stücke

Referenzpreis: USD 1.100784

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Hersteller: ON Semiconductor

Kurze Beschreibung: Automotive, AEC-Q101, PowerTrench® MOSFET N-CH 80V 110A TO263

Bleifreier Status / RoHS-Status: RoHS-konform (bleifrei)

Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL): 1 (unbegrenzt)

Datumscode (D / C): Neu

Produktkategorie: Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln

Lagerressource: Franchise-Händler

Garantie: 360 Tage Qualitätsgarantie

Datenblatt: FDB86366-F085.pdf

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FDB86366-F085 Spezifikationen

Herstellerteilenummer	FDB86366-F085
Zukünftige Teilenummer	FT-FDB86366-F085
SPQ / MOQ	kontaktiere uns
Verpackungsmaterial	Reel/Tray/Tube/Others
Serie	Automotive, AEC-Q101, PowerTrench®
FDB86366-F085 Status (Lebenszyklus)	Auf Lager
Teilestatus	Active
FET-Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	80V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C	110A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	3.6 mOhm @ 80A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs	112nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	6280pF @ 40V
FET-Funktion	-
Verlustleistung (max.)	176W (Tj)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Supplier Device Package	D²PAK (TO-263AB)
Paket / fall	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Herkunftsland	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
FDB86366-F085 Gewicht	kontaktiere uns
Ersatzteilnummer	FDB86366-F085-FT

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