Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln / FDBL86363-F085
Herstellerteilenummer | FDBL86363-F085 |
---|---|
Zukünftige Teilenummer | FT-FDBL86363-F085 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | Automotive, AEC-Q101, PowerTrench® |
FDBL86363-F085 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 80V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 240A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2 mOhm @ 80A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 169nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 10000pF @ 40V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 357W (Tj) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Supplier Device Package | 8-HPSOF |
Paket / fall | 8-PowerSFN |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FDBL86363-F085 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | FDBL86363-F085-FT |
FQD10N20LTM
ON Semiconductor
FQD17N08LTM
ON Semiconductor
FQD10N20LTF
ON Semiconductor
FQD17N08LTF
ON Semiconductor
FDP054N10
ON Semiconductor
FDP036N10A
ON Semiconductor
FDP8N50NZ
ON Semiconductor
FDP12N50NZ
ON Semiconductor
FDP7N60NZ
ON Semiconductor
FDP12N60NZ
ON Semiconductor
LCMXO256C-4T100I
Lattice Semiconductor Corporation
A54SX32A-FGG484
Microsemi Corporation
XC2V1500-6BGG575C
Xilinx Inc.
XC7K355T-1FFG901I
Xilinx Inc.
XC5VTX150T-1FFG1156I
Xilinx Inc.
LFXP3E-5QN208C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HE-6MG184C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-95EA-6LFN484C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX090N2F45I2SG
Intel
EP2AGX190EF29I5
Intel