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ON Semiconductor FDC2612_F095

Name: FDC2612_F095
Brand: ON Semiconductor
SKU: FDC2612_F095
Availability: InStock
Rating: 4.6 (246 reviews)

MFG-Teilenummer: FDC2612_F095

verfügbare Anzahl: 57640 Stücke

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Hersteller: ON Semiconductor

Kurze Beschreibung: PowerTrench® MOSFET N-CH 200V 1.1A 6-SSOT

Bleifreier Status / RoHS-Status: RoHS-konform (bleifrei)

Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL): 1 (unbegrenzt)

Datumscode (D / C): Neu

Produktkategorie: Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln

Lagerressource: Franchise-Händler

Garantie: 360 Tage Qualitätsgarantie

Datenblatt: FDC2612_F095.pdf

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FDC2612_F095 Spezifikationen

Herstellerteilenummer	FDC2612_F095
Zukünftige Teilenummer	FT-FDC2612_F095
SPQ / MOQ	kontaktiere uns
Verpackungsmaterial	Reel/Tray/Tube/Others
Serie	PowerTrench®
FDC2612_F095 Status (Lebenszyklus)	Auf Lager
Teilestatus	Obsolete
FET-Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	200V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C	1.1A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	725 mOhm @ 1.1A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4.5V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs	11nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	234pF @ 100V
FET-Funktion	-
Verlustleistung (max.)	1.6W (Ta)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Supplier Device Package	SuperSOT™-6
Paket / fall	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Herkunftsland	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
FDC2612_F095 Gewicht	kontaktiere uns
Ersatzteilnummer	FDC2612_F095-FT

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