Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln / IRF530N_R4942
Herstellerteilenummer | IRF530N_R4942 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-IRF530N_R4942 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
IRF530N_R4942 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Obsolete |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 100V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 22A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | - |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 64 mOhm @ 22A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 52nC @ 20V |
Vgs (Max) | - |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 790pF @ 25V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | - |
Betriebstemperatur | - |
Befestigungsart | Through Hole |
Supplier Device Package | TO-220-3 |
Paket / fall | TO-220-3 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IRF530N_R4942 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | IRF530N_R4942-FT |
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