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ON Semiconductor FDD10N20LZTM

MFG-Teilenummer
FDD10N20LZTM
verfügbare Anzahl
93290 Stücke
Referenzpreis
USD 0.290808
Unser Preis
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Versanddatum
Wir können heute ausliefern
Hersteller
ON Semiconductor
Kurze Beschreibung
UniFET™ MOSFET N-CH 200V 7.6A DPAK-3
Bleifreier Status / RoHS-Status
RoHS-konform (bleifrei)
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL)
1 (unbegrenzt)
Datumscode (D / C)
Neu
Produktkategorie
Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln
Lagerressource
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Garantie
360 Tage Qualitätsgarantie
Datenblatt
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FDD10N20LZTM Spezifikationen

Herstellerteilenummer FDD10N20LZTM
Zukünftige Teilenummer FT-FDD10N20LZTM
SPQ / MOQ kontaktiere uns
Verpackungsmaterial Reel/Tray/Tube/Others
Serie UniFET™
FDD10N20LZTM Status (Lebenszyklus) Auf Lager
Teilestatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 200V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C 7.6A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 360 mOhm @ 3.8A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs 16nC @ 10V
Vgs (Max) ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 585pF @ 25V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 83W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Supplier Device Package DPAK
Paket / fall TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Herkunftsland USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
FDD10N20LZTM Gewicht kontaktiere uns
Ersatzteilnummer FDD10N20LZTM-FT

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