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ON Semiconductor FDD10N20LZTM

Name: FDD10N20LZTM
Brand: ON Semiconductor
SKU: FDD10N20LZTM
Price: 0.290808 USD
Availability: InStock
Rating: 4.7 (72 reviews)

MFG-Teilenummer: FDD10N20LZTM

verfügbare Anzahl: 93290 Stücke

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Hersteller: ON Semiconductor

Kurze Beschreibung: UniFET™ MOSFET N-CH 200V 7.6A DPAK-3

Bleifreier Status / RoHS-Status: RoHS-konform (bleifrei)

Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL): 1 (unbegrenzt)

Datumscode (D / C): Neu

Produktkategorie: Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln

Lagerressource: Franchise-Händler

Garantie: 360 Tage Qualitätsgarantie

Datenblatt: FDD10N20LZTM.pdf

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FDD10N20LZTM Spezifikationen

Herstellerteilenummer	FDD10N20LZTM
Zukünftige Teilenummer	FT-FDD10N20LZTM
SPQ / MOQ	kontaktiere uns
Verpackungsmaterial	Reel/Tray/Tube/Others
Serie	UniFET™
FDD10N20LZTM Status (Lebenszyklus)	Auf Lager
Teilestatus	Active
FET-Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	200V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C	7.6A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	360 mOhm @ 3.8A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.5V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs	16nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	585pF @ 25V
FET-Funktion	-
Verlustleistung (max.)	83W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Supplier Device Package	DPAK
Paket / fall	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Herkunftsland	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
FDD10N20LZTM Gewicht	kontaktiere uns
Ersatzteilnummer	FDD10N20LZTM-FT

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